【48812】赛微电子:GaN是第三代半导体资料及器材的一个类别因其禁带宽度(Eg)大于或等于23电子伏特(eV)又被称为宽禁带半导体资料

  同花顺300033)金融研究中心03月17日讯,有投资者向赛微电子300456)发问, 董秘您好,公司氮化镓(GaN)外延资料及器材下流客户是哪些?谢谢

  公司答复表明,您好,GaN是第三代半导体资料及器材的一个类别,因其禁带宽度(Eg)大于或等于2.3电子伏特(eV),又被称为宽禁带半导体资料,与榜首、二代半导体资料硅(Si)和砷化镓(GaAs)比较,第三代半导体资料及器材具有高热导率、高击穿场强、高饱满电子速率等长处,可以彻底满意现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。聚能创芯完结融资后不再是公司控股子公司,不再归入公司兼并报表规模;但这并不代表公司不再重视GaN范畴,公司是以新的人物继续重视、支撑聚能创芯氮化镓(GaN)事务的开展。谢谢重视!

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