【48812】中国科学院院士 郝跃：宽禁带半导体有三方面长处

  8月10日，由滨湖区政府主办，无锡市集成电路学会承办的“2023中国轿车半导体新生态论坛”暨“第五届太湖创芯峰会”成功举行。会上中国科学院院士 郝跃宣布了“宽禁带半导体功率器材新进展”主题陈述。

  从1958年榜首块集成电路到本年正好是65周年，半导体阅历从榜首代半导体——硅（Si）、锗（Ge）的半导体资料；第二代半导体砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）、磷化铟（InP）等；到了第三代半导体，主要是碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体，未来将进入超宽禁带半导体。

  近年来，跟着新能源车对电力操控需求大幅度上升，轿车电子化、智能化开展的新趋势明显，功率半导体在轿车范畴占比继续提高。宽禁带半导体，也称为第三代半导体，因其杰出资料特性，在功率半导体器材范畴得以快速开展。

  郝院士表明，从工业与科技的预期来讲，宽禁带半导体有三个方面优势，分别是优胜的功率特性、低损耗，以及高频特性

  1，优胜的功率特性。碳化硅、氮化镓相对于Si MOSFET、IGBT等器材有着十分强的竞赛力。

  2，高能效、低损耗特性。“比方电动轿车在充电状况相同状况下，想要开得更远，其器材就必须完成损耗更低。”这一点宽禁带半导体相同具有竞赛优势。但郝跃院士也表明，现在，在我国全球抢先的工业或运用中，如高铁以及电动轿车等，第三代半导体运用得仍是不算多，更多仍然是运用硅器材”。

  3，优胜的高频特性，GaN电子器材是在衬底资料上外延生长势垒层/沟道层资料。该结构能轻松完成高密度和高迁移率(速度)的2DEG，这是完成微波和大功率半导体器材的要害。

  郝院士以为，任何一类半导体资料都要去跟开展了65年现已适当老练的硅器材竞赛，假如不具备不行代替性就很难有商场空间。 8月10日，由滨湖区政府主办，无锡市集成电路学会承办的“2023中国轿车半导体新生态论坛”暨“第五届太湖创芯峰会”成功举行。会上中国科学院院士 郝跃宣布了“宽禁带半导体功率器材新进展”主题陈述。

  从1958年榜首块集成电路到本年正好是65周年，半导体阅历从榜首代半导体——硅（Si）、锗（Ge）的半导体资料；第二代半导体砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）、磷化铟（InP）等；到了第三代半导体，主要是碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体，未来将进入超宽禁带半导体。

  近年来，跟着新能源车对电力操控需求大幅度上升，轿车电子化、智能化开展的新趋势明显，功率半导体在轿车范畴占比继续提高。宽禁带半导体，也称为第三代半导体，因其杰出资料特性，在功率半导体器材范畴得以快速开展。

  郝院士表明，从工业与科技的预期来讲，宽禁带半导体有三个方面优势，分别是优胜的功率特性、低损耗，以及高频特性

  1，优胜的功率特性。碳化硅、氮化镓相对于Si MOSFET、IGBT等器材有着十分强的竞赛力。

  2，高能效、低损耗特性。“比方电动轿车在充电状况相同状况下，想要开得更远，其器材就必须完成损耗更低。”这一点宽禁带半导体相同具有竞赛优势。但郝跃院士也表明，现在，在我国全球抢先的工业或运用中，如高铁以及电动轿车等，第三代半导体运用得仍是不算多，更多仍然是运用硅器材”。

  3，优胜的高频特性，GaN电子器材是在衬底资料上外延生长势垒层/沟道层资料。该结构能轻松完成高密度和高迁移率(速度)的2DEG，这是完成微波和大功率半导体器材的要害。

  郝院士以为，任何一类半导体资料都要去跟开展了65年现已适当老练的硅器材竞赛，假如不具备不行代替性就很难有商场空间。