总投资120亿元！全球首个大规模 微发光二极管芯片项目落户鄂州

  4月26日，鄂州市发改委官网发布，全球首个大规模微发光二极管（Mini/Micro LED）芯片项目落户鄂州葛店经济开发区，总投资120亿元。

  微发光二极管体积是目前主流LED的1%，其优点是既有高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，又有自发光特性，易实现节约能源的效果。据介绍，该项目占地700亩，由三安光电股份有限公司投资建设，并将得到国家集成电路产业大基金和湖北省长江产业基金的支持，项目建设周期3.5年，一期工程2年内投产。

  三安光电葛店基地项目建成达产后，将形成年产MiniLED芯片210万片、MicroLED芯片26万片的研发制造能力，产品主要提供三星、华为、苹果等全球知名公司。

  目前，鄂州市正协调各有关部门做好服务工作，确保三安光电葛店基地项目尽快投产达效。中电时空信息技术研究院有关专家这样认为，该项目是全球首个大规模基于第三代半导体、代表新型显示产业方向的光电芯片项目，对推动湖北乃至国家光电信息产业高质量发展具备极其重大意义。

  4月24日，全球知名的光电芯片研发企业三安光电公司投资120亿元的Mini/MicroLED芯片研发制造项目成功落户湖北省鄂州市葛店国家级开发区，这是湖北省实施“一芯两带三区”战略、推动产业之“芯”发展的重大成果。

  鄂州市委、市政府为推进高水平质量的发展，瞄准十大重点产业，利用省政府举办、省发改委承办的“百家上市公司进湖北”活动平台，积极对接国内最大的LDE芯片有突出贡献的公司厦门三安集团，经过短时间的密集跟踪衔接和积极争取，在省委省政府、国家集成电路产业大基金、省发改委和长江产业基金的全力支持下，于2019年4月24日与三安集团和三安光电股份公司正式签订Mini/MicroLED芯片项目投资合同。该项目是全球首个大规模基于第三代半导体、代表新型显示产业方向的光电芯片项目，项目成功落户我市葛店开发区，标志着鄂州市在这个百亿级光电信息产业项目的带领下，将步入“心中之‘芯’”的发展轨道。

  该项目总投资约120亿元，占地700亩，项目建成达产后，形成年产MiniLED芯片210万片、Micro LED芯片26万片的研发制造能力。项目建设期3年左右，一期工程2年内投产。

  该项目代表全球新一代显示技术的发展趋势，高度契合我省“一芯两带三区”和我市“三城一化”战略需求，是湖北建设“光谷科学技术创新大走廊”的重要支撑性项目，对树立新一代半导体全球领头羊具备极其重大意义。该项目的建设将带来光电芯片、新一代功率器件、射频芯片和滤波器、Micro显示屏及其上下游产业链入驻聚集，彻底改变鄂州冶金建材为主体的传统产业体系，为推进鄂州产业高水平质量的发展奠定坚实基础。同时，该项目的入驻，将使鄂州市成为国家重要的第三代半导体产业基地，对推动湖北乃至国家光电信息产业高质量发展，具有引领作用。

  下一步，市发改委将协同相关单位，全力做好项目前期服务工作，确保该项目第三季度全面动工建设，尽快实现达产达效。同时，积极依托该项目作为“大国重器”上升为省和国家战略，争取将此项目申报进入国家“十四五”规划光电信息产业重大生产力布局项目，成为国家级第三代半导体基地，将为新一代光电信息产业链聚集鄂州，营造良好的政策环境。