【48812】Vishay推出新式第三代1200 V SiC肖特基二极管提高开关电源规划能效和可靠性

  Vishay推出新式第三代1200 V SiC肖特基二极管，提高开关电源规划能效和可靠性

  日前，威世科技VishayIntertechnology, Inc.宣告，推出16款新式第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。VishaySemiconductors器材选用混合PIN 肖特基（MPS）结构规划，具有高浪涌电流维护才能，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低，有助于提高开关电源规划能效和可靠性。

  日前发布的新一代SiC二极管包含5 A至40 A器材，选用TO-220AC2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封装和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）外表贴装封装。因为选用MPS结构——使用激光退火反面减薄技能——二极管电容电荷低至28 nC，正向压降减小为1.35 V。此外，器材25 °C下典型反向漏电流仅为2.5 µA，因而降低了导通损耗，保证体系轻载和空载期间的高能效。与超快康复二极管不同，第三代器材就没有康复拖尾，然后可以逐渐提高功率。

  碳化硅二极管典型使用包含FBPS和LLC转换器AC/DC功率因数校对（PFC）和 DC/DC超高频输出整流，适用于光伏逆变器、储能体系、工业驱动器和东西、数据中心等。这些苛刻的使用环境中，器材作业时分的温度可达+175°C，正向额外浪涌电流维护才能高达260 A。此外，D2PAK 2L封装二极管选用高CTI ³ 600的塑封料，保证电压升高时优异的绝缘功能。

  器材具有高可靠性，契合RoHS规范，无卤素，经过2000小时高温反偏（HTRB）测验和2000次热循环温度循环测验。

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